"Samsung Advanced Institute of Technology" (SAIT) tədqiqat komandası Ulsan Milli Elm və Texnologiya İnstitutu və Kembric Universiteti ilə birgə yeni material - amorf bor nitriti (a-BN) kəşf ediblər. Məlumata görə, bu material növbəti nəsil yarımkeçiricilərinin istehsalını sürətləndirə bilər.

Milli.Az ictnews.az-a istinadən bildirir ki, tədqiqatçıların sözlərinə görə, amorf bor nitridi öz sinfində ən aşağı dielektrik keçiriciliyinə malikdir. Bundan başqa, bu material güclü elektrik və mexaniki xüsusiyyətləri ilə səciyyələnir. Sözügedən material elektrik maneələrinin minimuma endirilməsi üçün qoşulmalarda izolyasiya kimi istifadə oluna bilər.

Yeni material olduqca böyük miqyasda istehsal edilə bilər. "Samsung" şirkəti amorf bor nitridindən əməli və daimi yaddaş modullarının hazırlanmasında istifadə etmək niyyətindədir, ancaq hələ ki hazır məhsulun çıxarılma müddəti haqqında danışmaq çox tezdir.